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      富硒西瓜溫室栽培技術性強富硒西瓜溫室栽培屬于精細集約栽培
      日期:2024/02/05 點擊:29 文章來源:安徽硒無憂現代農業科技有限公司
      導讀:富硒西瓜溫室栽培屬于精細集約栽培,技術性強,必須采取綜合配套措施,才能達到早熟、高產、高效的目的。

            富硒西瓜溫室栽培屬于精細集約栽培,技術性強,必須采取綜合配套措施,才能達到早熟、高產、高效的目的。

      1.整地施肥。

             溫室早熟富硒西瓜一般栽培密度較大,需要精細整地。如果使用冬季休閑溫室,冬季前應深耕25cm,冷凍袋,使土壤松散。將一半的底部肥料完全撒在土壤中,然后翻入土壤中,打開溝渠進行集中施肥和床。在整地過程中,應將前茬作物的根系從棚子中取出。

            溫室內的邊界一般可以采用小高壟和高邊界,按行距l-1.2米作為邊界。在支架密植、嫁接栽培、雙蔓整枝、每株留一瓜的情況下,最好將1米行距作為小高壟。在地面爬行栽培時,可以使用南北邊界垂直平行于溫室)。

             底肥用量及類型:一般畝施優質穩定肥4000-5000kg(或腐雞糞3000-4000kg),過磷酸鈣50kg,硫酸鉀15-20kg,腐餅肥100kg;手械挠袡C肥一般耕翻時施用一半,豐產溝施用另一半。

      2.移植定植。

            溫室富硒西瓜采用三層薄膜覆蓋,比拱棚雙覆蓋早10天左右。溫室內的種植密度一般可大于拱棚雙覆蓋,需要更仔細的分枝,支撐栽培比地面爬行栽培更密集。溫室過度密集種植是不合適的,特別是在春季多雨、光線較弱的地區。

             溫室內富硒西瓜的種植方法;首先在扣膜的邊界表面根據植物距離劃定植物穴位,然后在陽光明媚的日子種植,從上午9點到下午繭。固定植物穴位的大小應與土塊或營養碗的大小相適應。然后將適量的底水倒入穴位,直到水剛滲出。種植幼苗時,小心取下塑料碗,將完整的土塊種植到固定植物穴位,使土塊表面與邊界表面平整或稍微暴露出來。糾正瓜苗后,填充土壤。沿土塊周圍用手輕輕壓實填充的土壤,也可在固定植物當天暫時不封閉。第二天再澆一次小水閉,有利于緩慢幼苗。整個棚子種植后,可以清潔邊界表面,并在壟斷表面插入一個小拱,上面有一個小拱棚,上面有一個龍拱棚。由于溫室內沒有風,所以拱棚也可以在下午2-3點前完成。

      3.溫濕度控制。

              濕度管理。定植后5-7天內,注意提高地面溫度,保持孤獨妻子以上,促進幼苗緩慢。如果白天溫度高于35度,應盡量遮光降溫。幼苗緩慢后,可開始通風,以調節棚內溫度。一般來說,白天不高于32度,夜間不低于15度。在此期間,棚溫可以通過打開和關閉天窗來控制。當瓜蔓長約31厘米時,可以拆除小拱棚。溫室富硒西瓜的開花期應保持充足的光照和較高的夜間溫度,因為如果人工授粉后夜間溫度較低,會導致果實脫落,影響果實肥大。當外部溫度超過18度時,應增加通風。天窗和棚子兩側應同時通風,白天不應超過30度,以防止晝夜溫差過高和晝夜溫度過高。在此期間,富硒西瓜進入膨脹期和成熟期。高晝溫和日溫差會導致果肉質量下降。

             濕度管理。溫室內空氣相對濕度較高,在覆蓋地膜的條件下可顯著降低空氣濕度。一般來說,在富硒西瓜生長的早期階段,棚內空氣濕度較低,但由于蒸騰量大,灌溉量增加,棚內空氣濕度增加,植物滿葉(支架栽培人員)或封條(地面攀爬栽培人員)后。白天的相對濕度一般為60%-70%,夜間為80%-90%。為了降低棚內空氣濕度和病害,可采取適當的措施,如在陽光明媚和溫暖的白天關閉棚內,增加空氣循環,在行間鋪草,減少土壤表面蒸發。在生長的中后期,最好保持60-70%的相對濕度。

      4.調節光照和氣體成分。

            增加采光量。富硒西瓜需要較強的光強。然而,由于溫室棚膜表面的露珠或表面不干凈,人棚內的光強往往會降低,尤其是在多層覆蓋的情況下。因此,應注意保持棚膜清潔,不要使用透光率差的舊薄膜。溫室內的光主要來自頂部(上光)和側面(側光),地面膜在生長初期也有一定的反射作用。在支架密集栽培的情況下,距地面1米以上葉片面積的正常光合作用對富硒西瓜的產量有很大的影響。因此,在富硒西瓜的生長期,應始終保持棚頂和兩側的光線暢通無阻地進入溫室,使棚內1米以上的葉片在生長中后期也能獲得足夠的光照。因此,在富硒西瓜的生長期間,應始終保持棚頂和兩側的光線暢通無阻地進入溫室內,使棚內1米以上的葉片在生長中后期也能獲得足夠的光照。一切都要嚴格修剪,及時權力和屋頂,使屋頂葉片與棚頂膜之間有30-40厘米的距離,防止相互關閉。

             棚內氣體調節。在溫室封閉條件下,空氣中二氧化碳含量嚴重不足,影響光合作用的正常進行和同化產品的積累。二氧化碳施肥是為了人工提高棚內二氧化碳濃度,補充棚內二氧化碳含量不足。方法有:一是在棚內新鮮馬糞,發酵過程中可釋放二氧化碳,每立方米空間堆放516kg,二是燃燒丙烷氣可產生二氧化碳。在600平方米的溫室中,燃燒1.2-1.5kg可使溫室中的二氧化碳濃度高達1.3ml/kg,燃燒丙烷氣的數量可根據棚的面積確定;第三,焦炭二氧化碳發生器的應用可以在焦炭充分燃燒時釋放二氧化碳;第四,最簡單的方法是在不受腐蝕的容器中釋放濃鹽酸,然后釋放少量石流(碳酸鈣),通過化學反應可以產生二氧化碳。二氧化碳施肥的最佳時間是水果的新鮮度,特別是上午1-1ml。

      5.整枝綁蔓。

            整根樹枝。在溫室密集種植條件下,應實施更嚴格的整根樹枝。擴散后,當主蔓延長30-50cm時,側蔓也明顯伸展。當側蔓延長到20cm左右時,選擇一個強壯的側蔓,其余全部去除,然后取出主蔓延和側蔓延長出的側蔓。在瓜節上留下10-15片葉子,打頂部。整個分支工作主要在瓜坐前進行。在支架栽培的情況下,去側蔓(分支)工作應始終進行到滿架和頂部。去除側蔓延時,取出卷須。

             搭架綁蔓。在溫室支架栽培的情況下,應采用立架。竹竿也可以用吊繩,但最好用粗竹竿,因為竹竿不容易掉瓜。種植后20多天,主蔓長約30厘米。拆除溫室內的小拱棚后,立即插入。根據每株瓜苗,可插入兩根竹竿。在植物兩側,距植物根部超過10厘米。竹竿應插入牢固和直立。插入立架后,開始引導和綁扎蔓延。當蔓延長度為30-40厘米時,爬行的瓜蔓可以立即引入。每個蔓延都有一根桿。在綁扎作業中,應注意理蔓。在后期,應注意不要碰大瓜。綁扎和整枝工作可以結合起來。在地面攀爬栽培的情況下,溫室富硒西瓜的理蔓方法與雙覆蓋栽培基本相同。只是因為在溫室里,擴散后可以及時引導和整枝,也可以節省壓力和蔓延等措施。在溫室內地攀爬栽培的情況下,也應采用嚴格的雙蔓整枝法。

      6.人工授粉。

             由于棚內富硒西瓜的開花習性,應在上午8-9:00授粉。陰天雄花散粉晚,可適當延遲。為了防止陰雨天雄花散粉晚,第一天下午可以取回第二天可以開的雄花,放在室內干燥溫暖的條件下,第二天上午可以按時開花散粉,然后用這朵花授粉雌花。應該從第二朵雌花開始授粉。

      7.選瓜吊瓜。

             為了提高單瓜的重量,糾正瓜的形狀,我們應該選擇坐在第二朵雌花上的瓜。如果瓜過早,瓜小,瓜形不正。如果太晚,不利于早上市場。一般授粉后3-5天,瓜胎明顯長大,優先在主蔓上留瓜;如果你把瓜留在主蔓上,你可以把瓜留在側蔓上。在支架栽培的情況下,當瓜長到碗口大約0.5公斤時,應及時掛瓜,防止小瓜增大后墜落。在地面攀爬栽培的情況下,應選擇瓜、墊瓜、翻瓜,如拱棚栽培。

      8.追肥灌水。

             溫室富硒西瓜前期澆水不宜過大。一般來說,幼苗緩慢后,如果地面不干燥,就不能澆水;如果太干燥,可以沿著溝渠灌溉一次。從那時起,保持地面濕潤干燥,控制灌溉,提高地溫,使瓜苗強壯。在擴散期,在插入支架之前,可以灌溉兩次水。水量適中。開花坐果期不澆水,以防止過度生長和促進坐瓜。小瓜生長到雞蛋大小后,可每3-4天澆水一次,促進小瓜膨脹。在支架栽培的情況下,溫室富硒西瓜的追肥可以在支架前和溫室內的小拱棚拆除后,在瓜壟兩側的淺溝中施用氮磷復合肥20kg/畝,硫酸鉀5-10kg/畝,促進伸根發芽,為開花坐果奠定基礎。小瓜坐下后,長到雞蛋大小時,然后施用20kg復合肥(結合灌溉和沖洗),以促進長瓜。果實確定后,可在0.3%磷酸二氫鉀葉面上追肥2次。在收獲二茬后,可以采集二茬。

      9.病蟲害防治等管理。

             溫室富硒西瓜生長期的主要害蟲是蚜蟲。為了預防和控制蚜蟲,DDV+樂果(1:1)2000倍液體可在苗床定植前噴灑。在膨瓜盛期,棚內葉片茂盛,空氣循環差,蚜蟲嚴重。我們必須注意嚴格的藥物防治。主要病害為白粉病,應盡快預防和控制。膨瓜期應開始預防和控制炭疽病。在生長中后期,應注意加強通風,降低棚內空氣濕度,這可以大大降低富硒西瓜的病害。溫室富硒西瓜,特別是支架栽培,由于富硒西瓜果實保護良好,光線良好,果實形狀正確,皮膚明亮,無陰陽面,可生產高檔富硒西瓜。

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